1 Microprocessadores: Diário de Aula 2020-1

Professor: Roberto de Matos
Encontros: 3ª feira às 13:30 e 4ª feira às 15:40h
Local: Laboratório de Sistemas Digitais
Atendimento Paralelo: 3ª feira às 10h e 5ª feira às 14:30h (1h cada)
Plano de Ensino
Cronograma de Aulas
Notas

2 Aula 11/02/2019: Apresentação

Apresentação do professor.
Apresentação da disciplina: conteúdo, bibliografia e avaliação.

3 Aula 13/02/2019: Revisão e Introdução à Memória

Objetivo:
- Revisão
- Registradores
- Exemplo Circuito
- Memória

Material:

3.1 Exemplo de Caminho de Dados Rudimentar

Implementar decode para as instruções:
- Acc <- operando
- Acc <- Acc + operando
- Acc <- Acc - operando
- CPU_out <- Acc

4 Aula 18/02/2019: Revisão e Introdução à Memória (cont.)

Objetivo:
- Analisar implementação do Datapath rudimentar no Quartus
- Gravar e testar na DE2-115
- Introdução à Memória

Material:

4.1 Prática com Caminho de Dados Rudimentar

Projeto Quartus
Teste com uma carga, duas somas, uma subtração e uma leitura em sequência.

Gravar na DE2-115

4.2 Diagrama em blocos da memória e barramentos

No diagrama abaixo está representado um bloco de memória primária de 16x8 (dezesseis endereços por 8 bits).

Note que uma posição de memória pode ser vista como uma caixa que possue um endereço e um conteúdo.
O conteúdo associado a posição de memória é uma palavra binária e, neste caso, possui 8 bits.

Para que us dispositivo externo possa "acessar" a memória para leitura ou escrita, ele deve se utilizar de um conjunto de fios que chamamos de barramentos.

4.2.1 Barramento de Endereços

Este barramento permite determinar o endereço de uma posição a ser acessada na memória. Um barramento de 4 linhas de endereço é designado por A3,A2,A1 e A0.

Supondo uma memória com endereços designados da forma hexadecimal de 0h a Fh. Supondo que A3 seja associado ao bit mais significativo e A0 ao bit menos significativo. Então, para acessar a posição Bh de memória, deve-se injetar A3=1, A2=0, A1=1 e A0=1. Note que $B_{h} = 101 1_{b}$

O termo "injetar" significa aqui que um dispositivo externo deve forçar tensão nas linhas do barramento. Esta tensão depende da tecnologia utilizada. Poderia ser, por exemplo, 5V para o nível lógico 1 e 0V par ao nível lógico 0.,