Memórias

SRAM

A memória SRAM vem da abreviação de Static Random Access Memory. Suas células são rápidas e permitem que possamos gravar – apagar desde que o sistema seja mantido ligado ,sem necessidade de refresh. Geralmente usada para microcontroladores.

Procedimento de leitura:

Consiste em um pré-carregamento das bit lanes existentes na célula até que o conjunto de transistores e inversores que compõe a célula atinjam a tensão Vdd. Em seguida a word line é ativada diminuindo a tensão na bit lane e selecionando a célula requerida jogando assim uma saída com os dados.

Procedimento de escrita:

Na escrita, o mesmo procedimento é feito, porém não contem nada na saída, por se tratar de um procedimento de escrita.

SRAMs tipos DDR e QDR:

• DDR (dual data rate – taxa de dados duplas) que consite em processar dados (ler ou escrever em ambas as transições de clock.
• QDR (quad data rate – taxa de dados quadrupla ) consite numa extensao do DDR ultilizando dois barramentos de dados insdependetes ,um para dados de entrada (escrita) e outro para dados de saida (leitura).

DRAM

DRAM (dinamia random acess memory – memoria dinamica de aceso aleatória ) tambem vvoláteis porém ao contrario da SRAMs devem ser atualizada periodicamente (Refesh) a cada milisegundos porque a informação e armazenada em capacitores muito pequenos,além disso são mais lentas que as SRAMs porem possuem preço e densidade baixa ,uma aplicação popular das DRAMs é o (buck memory)memoria principal do computadores.

Arquitetura DRAM e atualização do refresh (CAS -before -RAS).

CAM (content addressable memory – memoria endereçável por conteúdo ) ,para ler de uma memoria tradicional o endereço e apresentado ,ao qual é respondindo com o conteúdo daquele endereço.EM um CAM ocorre o oposto,em vez de um endereço um conteúdo é a presentado ao qual a memoria responde com um endereço.

Memorias não voláteis Read-only memory (ROM)  consiste no armazenamento, onde uma vez gravados, os dados não são perdidos ao se retirar a fonte de energia.

MP-ROM (MASK-PROGRAMMED ROM) Consiste em uma memoria que é programada durante a fabricação onde os chips são produzidos por arranjar transistores de modo a forma uma “ mascara de roteamento “ onde a presença de um transistor corresponde a '1' e a ausência em '0'.

OT-PROM (One-Time Programmable Read Only Memory ) são memorias baseadas em fusíveis ou antifusiveis ,ao quais abre ou fecha circuito ao serem percorridos por corrente relativamente elevada permitindo assim que os transistores /portas seja inseridos ou removidos do circuito

EPROM (erasable programmable read only memory) Uma EPROM são memorias baseadas em porta flutuantes é programada por um dispositivo eletrônico que dá voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos elétricos. Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta . Um transistor sem carga armazenada na porta flutuante é denominado apagado (erased),o que é considerado '1',enquanto que um transistor com carga é considerado programado (programmed).

Procedimento de leitura: Para ler basicamente basta fornecer o endereço e os sinais de habilitação do chip para reconhecimento da WL.

Procedimento de escrita: Para escrever numa memória EPROM primeiramente todo o seu conteúdo deve ser apagado, para isso a memória é exposta à radiação UV durante vários minutos. Em seguida cada linha (WL) pode ser programada individualmente, para tal, os valores a serem armazenados são aplicados às linhas de bits (Bls) e então a WL correspondente é pulsada em tensão alta.

EEPROM :(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) uma memoria semelhante ao EPROM no entanto ela foi modificada para resolver o problema de apagamento apenas por exposição a radiação UV. A EEPROM possui um novo dispositivo denominado trânsitos FOTOX(transitor-gate tunneling oxide).esse dispositivo permite que ao se aplicado uma tensão invertida os elétrons retornem para o dreno,apagando o transistor.

FLASH são memórias que podem ser vistas como um tipo de EEPROM, no entanto, o processo de gravação e regravação é muito mais rápido.O apagamento e realizado simultaneamente em todo o chip dai o nome (flash).

MEMORIAS NÃO VOLATEIS DA PROXIMA GERAÇÃO (FRAM,MRAM,PRAM)

FRAM (Ferro-magnetic Random-Access Memory) memorias semelhantes a DRAM exceto pelo fato do capacitor agora é não volátil. o dielétrico do capacitor é um cristal ferroelétrico(chumbo-zinco-titanato ou PZT).

MRAM ( Magneto-resistive Random Access Memory) semelhante a DRAM porem é implementado com um resistor variável.

PRAM (Phase-change random access memory) ) é uma nova forma de memória não volátil baseada no uso de cargas elétricas para mudar áreas em um material vítreo de cristalino para aleatória amorfa e vice-versa . PRAM promete, no tempo, para ser mais rápido e mais barato, e consomem menos energia do que outras formas de memória.