Memórias

SRAM

A memória SRAM vem da abreviação de Static Random Access Memory. Suas células são rápidas e permitem que possamos gravar – apagar desde que o sistema seja mantido ligado ,sem necessidade de refresh. Geralmente usada para microcontroladores.

Procedimento de leitura:

Consiste em um pré-carregamento das bit lanes existentes na célula até que o conjunto de transistores e inversores que compõe a célula atinjam a tensão Vdd. Em seguida a word line é ativada diminuindo a tensão na bit lane e selecionando a célula requerida jogando assim uma saída com os dados.

Procedimento de escrita:

Na escrita, o mesmo procedimento é feito, porém não contem nada na saída, por se tratar de um procedimento de escrita.

Arquitetura SRAMs:

SRAMs tipos DDR e QDR:

• DDR (dual data rate – taxa de dados duplas) que consite em processar dados (ler ou escrever em ambas as transições de clock.
• QDR (quad data rate – taxa de dados quadrupla ) consite numa extensao do DDR ultilizando dois barramentos de dados insdependetes ,um para dados de entrada (escrita) e outro para dados de saida (leitura).

OT-PROM - Antifusível

OT-PROM (One-Time Programmable Read Only Memory) são memorias baseadas em fusíveis ou antifusíveis ,ao quais abre ou fecha circuito ao serem percorridos por corrente relativamente elevada permitindo assim que os transistores/portas seja inseridos ou removidos do circuito.

EPROM

Uma EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) são memorias baseadas em porta flutuantes é programada por um dispositivo eletrônico que dá voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos elétricos. Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta. Um transistor sem carga armazenada na porta flutuante é denominado apagado, o que é considerado '1',enquanto que um transistor com carga é considerado programado.

Procedimento de leitura:

Para ler basicamente basta fornecer o endereço e os sinais de habilitação do chip para reconhecimento da WL.

Procedimento de escrita:

Para escrever numa memória EPROM primeiramente todo o seu conteúdo deve ser apagado, para isso a memória é exposta à radiação UV durante vários minutos. Em seguida cada linha (WL) pode ser programada individualmente, para tal, os valores a serem armazenados são aplicados às linhas de bits (BLs) e então a WL correspondente é pulsada em tensão alta.

EEPROM

A EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é uma memoria semelhante ao EPROM no entanto ela foi modificada para resolver o problema de apagamento apenas por exposição a radiação UV. A EEPROM possui um novo dispositivo denominado trânsitos FOTOX (transitor-gate tunneling oxide). esse dispositivo permite que ao se aplicado uma tensão invertida os elétrons retornem para o dreno, apagando o transistor.

FLASH

As memórias Flash são memórias que podem ser vistas como um tipo de EEPROM, no entanto, o processo de gravação e regravação é muito mais rápido. O apagamento é realizado simultaneamente em todo o chip dai o nome (flash).

MEMÓRIAS NÃO VOLATEIS DA PRÓXIMA GERAÇÃO

• FRAM (Ferro-magnetic Random-Access Memory): memorias semelhantes a DRAM exceto pelo fato do capacitor agora é não volátil. o dielétrico do capacitor é um cristal ferroelétrico(chumbo-zinco-titanato ou PZT).

• MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory): semelhante a DRAM porem é implementado com um resistor variável.

• PRAM (Phase-change random access memory): é uma nova forma de memória não volátil baseada no uso de cargas elétricas para mudar áreas em um material vítreo de cristalino para aleatória amorfa e vice-versa . PRAM promete, no tempo, para ser mais rápido e mais barato, e consomem menos energia do que outras formas de memória.