Mudanças entre as edições de "MIC29004-2016-1 Microprocessadores - Engenharia"

De MediaWiki do Campus São José
Ir para navegação Ir para pesquisar
(Limpou toda a página)
 
(313 revisões intermediárias pelo mesmo usuário não estão sendo mostradas)
Linha 1: Linha 1:
=Informações Gerais=
 
  
*Professor: Clayrton Monteiro Henrique
 
    e-mail: clayrton.henrique@ifsc.edu.br
 
 
=Plano de Ensino=
 
 
[http://wiki.sj.ifsc.edu.br/index.php/MIC-EngTel_(Plano_de_Ensino) Plano de Ensino]
 
 
=Recursos=
 
 
*[[Media:mic-slides_2-handout.pdf| Introdução à Microprocessadores]]
 
*[[Media:bip.pdf|Arquitetura e Organização do BIP]]
 
*[[Media:mic-slides_3-handout.pdf|Microcontrolador e 8051]]
 
 
=Aulas=
 
 
 
==Aula 01 (24/03/2016)==
 
 
*Apresentação inicial;
 
*Visão geral do funcionamento de um sistema microprocessado.
 
 
 
==Aula 02 (27/03/2016)==
 
 
*Elemento de Memória;
 
*Flip Flop Tipo D;
 
 
 
===Diagrama em blocos da memória e barramentos===
 
 
No diagrama abaixo está representado um bloco de memória primária de 16 x 8 (dezesseis endereços por 8 bits).
 
*Note que uma posição de memória pode ser vista como uma caixa que possui um endereço e um conteúdo.
 
*O conteúdo associado a posição de memória é uma palavra binária e, neste caso, possui 8 bits;
 
 
[[imagem:DiagramaBlocosMemorias2.jpg|500px|center]]
 
 
Para que um dispositivo externo possa "acessar" a memória para leitura ou escrita, ele deve se utilizar de um conjunto de fios que chamamos de <b>barramentos</b>.
 
 
===Barramento de Endereços===
 
 
Este barramento permite determinar o endereço de uma posição a ser acessada na memória.
 
Um barramento de 4 linhas de endereço é designado por A3,A2,A1 e A0.
 
 
Supondo uma memória com endereços designados da forma hexadecimal de 0h a Fh. Supondo que A3
 
seja associado ao bit mais significativo e A0 ao bit menos significativo. Então, para acessar
 
a posição Bh de memória, deve-se injetar A3=1, A2=0, A1=1 e A0=1. Note que <math> B_h = 1011_b </math>
 
 
O termo "injetar" significa aqui que um dispositivo externo deve forçar tensão nas linhas do barramento.
 
Esta tensão depende da tecnologia utilizada. Poderia ser, por exemplo, 5V para o nível lógico 1 e 0V par ao nível lógico 0.,
 
 
===Tarefa ===
 
 
*[[Media:apostilamemorias.pdf|Slides Memória]]
 
 
==Aula 03 (31/03/2016)==
 
 
*Memórias - Tipos e características construtivas
 
*Associação de memórias e exercícios
 
 
==Aula 04 (04/04/2016)==
 
 
* Memória RAM e sua estrutura
 
 
* Análise do comportamento (diagrama em blocos)
 
 
* Modo de Escrita (WR)
 
 
* Modo de Leitura (RD)
 
 
* Habilitação (CE)
 
 
 
=== Atividade 01 ===
 
*[[Media:apostilamemorias.pdf|Slides Memória]]
 
 
==Aula 05 (07/04/2016)==
 
 
* Introdução ao BIP
 
* Upcode
 

Edição atual tal como às 09h37min de 24 de agosto de 2016