Mudanças entre as edições de "MIC29004-2016-1 Microprocessadores - Engenharia"
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*Apresentação inicial; | *Apresentação inicial; | ||
*Visão geral do funcionamento de um sistema microprocessado. | *Visão geral do funcionamento de um sistema microprocessado. | ||
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O termo "injetar" significa aqui que um dispositivo externo deve forçar tensão nas linhas do barramento. | O termo "injetar" significa aqui que um dispositivo externo deve forçar tensão nas linhas do barramento. | ||
Esta tensão depende da tecnologia utilizada. Poderia ser, por exemplo, 5V para o nível lógico 1 e 0V par ao nível lógico 0., | Esta tensão depende da tecnologia utilizada. Poderia ser, por exemplo, 5V para o nível lógico 1 e 0V par ao nível lógico 0., | ||
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Edição das 17h02min de 4 de abril de 2016
Informações Gerais
- Professor: Clayrton Monteiro Henrique
e-mail: clayrton.henrique@ifsc.edu.br
Plano de Ensino
Recursos
Aulas
Aula 01 (24/03/2016)
- Apresentação inicial;
- Visão geral do funcionamento de um sistema microprocessado.
Aula 02 (27/03/2016)
- Elemento de Memória;
- Flip Flop Tipo D;
Diagrama em blocos da memória e barramentos
No diagrama abaixo está representado um bloco de memória primária de 16 x 8 (dezesseis endereços por 8 bits).
- Note que uma posição de memória pode ser vista como uma caixa que possui um endereço e um conteúdo.
- O conteúdo associado a posição de memória é uma palavra binária e, neste caso, possui 8 bits;
Para que um dispositivo externo possa "acessar" a memória para leitura ou escrita, ele deve se utilizar de um conjunto de fios que chamamos de barramentos.
Barramento de Endereços
Este barramento permite determinar o endereço de uma posição a ser acessada na memória. Um barramento de 4 linhas de endereço é designado por A3,A2,A1 e A0.
Supondo uma memória com endereços designados da forma hexadecimal de 0h a Fh. Supondo que A3 seja associado ao bit mais significativo e A0 ao bit menos significativo. Então, para acessar a posição Bh de memória, deve-se injetar A3=1, A2=0, A1=1 e A0=1. Note que
O termo "injetar" significa aqui que um dispositivo externo deve forçar tensão nas linhas do barramento. Esta tensão depende da tecnologia utilizada. Poderia ser, por exemplo, 5V para o nível lógico 1 e 0V par ao nível lógico 0.,
Tarefa
Aula 03 (31/03/2016)
- Memórias - Tipos e características construtivas
- Associação de memórias e exercícios
Aula 04 (04/04/2016)
- Memória RAM e sua estrutura
- Análise do comportamento (diagrama em blocos)
- Modo de Escrita (WR)
- Modo de Leitura (RD)
- Habilitação (CE)
Atividade 01
Aula 05 (07/04/2016)
- Introdução ao BIP
- Upcode